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增透膜化學(xué)氣相沉積法
日期：2025-12-31 13:30
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摘要：
增透膜化學(xué)氣相沉積法
化學(xué)氣相沉積法（CVD）(增透膜)是把含有構(gòu)成薄膜元素的氣體供給襯底，利用加熱、等離子體及紫外光等能源，在襯底上發(fā)生化學(xué)反應(yīng)沉積薄膜，可以制備 SiN、ZnS、SiO2、SiC 等太陽(yáng)能電池減反射膜。
CVD 法有很多優(yōu)點(diǎn)：薄膜形成方向性小，微觀均勻性好；薄膜純度高，殘余應(yīng)力小，延展性強(qiáng)；薄膜受到的輻射損傷較小。
CVD 的主要缺點(diǎn)是需要在高溫下反應(yīng)，襯底溫度高，沉積速率較低，一般每小時(shí)只有幾微米到幾百微米，使用的設(shè)備復(fù)雜，基體難以進(jìn)行局部沉積以及反應(yīng)源和反應(yīng)后的余氣都有一定的毒性等。CVD常常以反應(yīng)類型或 者壓力來(lái)分類，常用的有以下幾種：低 壓 CVD（LPCVD）[20]、常壓 CVD（APCVD）、亞常壓 CVD（SACVD）、(增透膜)超高真空CVD（UHCVD）、等離子體增強(qiáng) CVD（PECVD）、高密度等離子體CVD（HDPCVD）以及快熱 CVD（RTCVD）。
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法（PECVD）是工業(yè)沉積多種材料應(yīng)用*廣泛的方法?！?nbsp;
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